Esta clase de semiconductor se puede utilizar en un margen más amplio de frecuencias y el proceso de fabricación ha facilitado el uso de silicio en vez de germanio, lo cual favorece la capacidad de potencia de la unidad. Los transistores de unión difusa se pueden subdividir en tipos de difusión única (hometaxial), doble difusión, doble difusión planar y triple difusión planar.
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